4月17-18日，第十五屆中國電子信息技術(shù)年會(huì)在重慶兩江新區(qū)舉行。會(huì)上寬禁帶半導(dǎo)體及碳基技術(shù)被重點(diǎn)提及。

寬禁帶半導(dǎo)體

中國科學(xué)院院士、中國電子學(xué)會(huì)副理事長(zhǎng)、西安電子科技大學(xué)教授郝躍稱，目前寬禁帶半導(dǎo)體已經(jīng)在汽車、健康等領(lǐng)域得到了大規(guī)模應(yīng)用。

郝躍還預(yù)測(cè)，6G通信2030年或?qū)?huì)進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化，未來寬禁帶半導(dǎo)體將釋放巨大市場(chǎng)潛力和強(qiáng)大發(fā)展動(dòng)力。

此外，郝躍表示，中國已經(jīng)提出了“3060碳排放目標(biāo)”，也讓寬禁帶半導(dǎo)體有了更加廣闊的前景。當(dāng)然我們還需要不斷努力，在電力總量攀升的同時(shí)降低傳輸過程中的消耗，推動(dòng)碳達(dá)峰、碳中和目標(biāo)早日實(shí)現(xiàn)。

我國在2020年成立了寬禁帶半導(dǎo)體器件與集成電路國家工程研究中心，目前已經(jīng)在氮化鎵半導(dǎo)體設(shè)備、氮化鎵毫米波功率器件等多個(gè)領(lǐng)域取得了技術(shù)突破。

碳基技術(shù)

中國科學(xué)院院士、北京大學(xué)教授彭練矛表示，隨著芯片制造工藝逼近2納米，硅基芯片材料的潛力已基本被挖掘殆盡，無法滿足行業(yè)未來進(jìn)一步發(fā)展的需要，啟用新材料是公認(rèn)的從根本上解決芯片性能問題的出路。

彭練矛指出，碳納米管擁有完美的結(jié)構(gòu)、超薄的導(dǎo)電通道、極高的載流子遷移率和穩(wěn)定性，未來有望取代傳統(tǒng)的硅基集成電路技術(shù)。面向后摩爾時(shí)代，中國現(xiàn)已基本解決碳納米管面臨的挑戰(zhàn)，實(shí)現(xiàn)了整套的碳納米管集成電路和光電器件制備技術(shù)，同時(shí)也在碳納米管的無摻雜技術(shù)研究方面取得重大突破，使得我國在碳基芯片的基礎(chǔ)研究方面邁入全球發(fā)展前列。

彭練矛認(rèn)為碳基技術(shù)有望全方位影響現(xiàn)有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。

關(guān)鍵詞： 寬禁帶 半導(dǎo)體